STMicroelectronics N-Kanal, SuperMESH Effekt MOSFET, 4 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SuperMESH

Få rabat ved storkøb

Tilføj 250 flere for at gemme 29%

Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 516,30

(ekskl. moms)

Kr. 645,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Besparelse
50 - 245Kr. 10,326-
250 - 495Kr. 7,28429%
500 +Kr. 5,68244%

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
687-5190P
Producentens varenummer:
STB4NK60ZT4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

SuperMESH Effekt MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SuperMESH

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

-30V, +30V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

70W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.4mm

Standarder/godkendelser

JEDEC JESD97

Bredde

9.35mm

Højde

4.6mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V til 650 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.