STMicroelectronics Type N-Kanal, SuperMESH Effekt MOSFET, 4 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SuperMESH

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 516,30

(ekskl. moms)

Kr. 645,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 09. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
50 - 245Kr. 10,326
250 - 495Kr. 7,284
500 +Kr. 5,682

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
687-5190P
Producentens varenummer:
STB4NK60ZT4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

SuperMESH Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SuperMESH

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

70W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18.8nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

JEDEC JESD97

Højde

4.6mm

Længde

10.4mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V til 650 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.