STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Forbedring, 4 Ben, ISOTOP Nej STE40NC60
- RS-varenummer:
- 687-5226
- Producentens varenummer:
- STE40NC60
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 290,82
(ekskl. moms)
Kr. 363,52
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 290,82 |
| 10 - 49 | Kr. 268,31 |
| 50 - 99 | Kr. 256,19 |
| 100 - 199 | Kr. 226,05 |
| 200 + | Kr. 210,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-5226
- Producentens varenummer:
- STE40NC60
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | ISOTOP | |
| Monteringstype | Panelkabinet | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 130mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 460W | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 307.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 25.5 mm | |
| Længde | 38.2mm | |
| Højde | 9.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype ISOTOP | ||
Monteringstype Panelkabinet | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 130mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 460W | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 307.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 25.5 mm | ||
Længde 38.2mm | ||
Højde 9.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V til 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 600 V ISOTOP SuperMESH STE40NC60
- STMicroelectronics N-Kanal 53 A 500 V ISOTOP SuperMESH STE53NC50
- STMicroelectronics N-Kanal 13 A 600 V TO-220 SuperMESH STP13NK60Z
- STMicroelectronics N-Kanal 2 3 ben MDmesh, SuperMESH STP3NK60ZFP
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 600 V TO-220 SuperMESH STP4NK60Z
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 600 V TO-220FP SuperMESH STP4NK60ZFP
- STMicroelectronics N-Kanal 7 A 600 V TO-220 SuperMESH STP9NK60Z
- STMicroelectronics N-Kanal 7 A 600 V TO-220FP SuperMESH STP9NK60ZFP
