Infineon N-Kanal, MOSFET, 353 A 24 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, HEXFETPower MOSFET
- RS-varenummer:
- 688-6807
- Producentens varenummer:
- IRF1324PBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 49,89
(ekskl. moms)
Kr. 62,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- 344 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 400 enhed(er) afsendes fra 21. oktober 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 24,945 | Kr. 49,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-6807
- Producentens varenummer:
- IRF1324PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 353A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 24V | |
| Serie | HEXFETPower MOSFET | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 160nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 9.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 353A | ||
Drain source spænding maks. Vds 24V | ||
Serie HEXFETPower MOSFET | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 160nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 9.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET fra 12 V til 25 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 53 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon N-Kanal 180 A 100 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon N-Kanal 140 A 30 V Forbedring JEDEC TO-220AB, LogicFET
- Infineon N-Kanal 87 A 100 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon N-Kanal 92 A 30 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon N-Kanal 270 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon N-Kanal 202 A 40 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon N-Kanal 48 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET