Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 353 A 24 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, HEXFETPower MOSFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 15,29

(ekskl. moms)

Kr. 19,112

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Plus 354 enhed(er) afsendes fra 20. april 2026
  • Sidste 400 enhed(er) afsendes fra 27. april 2026
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 7,645Kr. 15,29

*Vejledende pris

RS-varenummer:
688-6807
Producentens varenummer:
IRF1324PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

353A

Drain source spænding maks. Vds

24V

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Serie

HEXFETPower MOSFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

160nC

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.02mm

Længde

10.67mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal Power MOSFET fra 12 V til 25 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links