Seneste søgninger

    Infineon N-Kanal, MOSFET, 86 A 30 V, 3 ben, DPAK (TO-252), HEXFET IRLR8726PBF

    RS-varenummer:
    688-7244
    Producentens varenummer:
    IRLR8726PBF
    Brand:
    Infineon
    Infineon
    Se alle MOSFET
    Udgået fra lager - restordre leveres når lager er tilgængeligt
    Add to Basket
    Enheder

    Desværre har vi ikke dette produkt på lager.

    Restordre ikke mulig på grund af manglende allokering. Den evt. angivne systemtekniske leveringstid er ikke gyldig.

    Tilføjet

    Pris (Leveres i pakke af 10)

    kr 4,958

    (ekskl. moms)

    kr 6,198

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.Pr pakke*
    10 +kr 4,958kr 49,58
    RS-varenummer:
    688-7244
    Producentens varenummer:
    IRLR8726PBF
    Brand:
    Infineon

    Lovgivning og oprindelsesland


    Generel produktinformation

    N-kanal Power MOSFET 30 V, Infineon


    Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.


    MOSFET-transistorer, Infineon


    Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

    Egenskaber

    AttributeValue
    KanaltypeN
    Drain-strøm kontinuerlig maks.86 A
    Drain source spænding maks.30 V
    KapslingstypeDPAK (TO-252)
    MonteringstypeOverflademontering
    Benantal3
    Drain source modstand maks.6 mΩ
    KanalformEnhancement
    Maks. tærskelspænding for port2.35V
    Mindste tærskelspænding for port1.35V
    Effektafsættelse maks.75 W
    TransistorkonfigurationEnkelt
    Gate source spænding maks.-12 V, +12 V
    Gate-ladning ved Vgs typisk15 nC ved 4,5 V
    Længde6.73mm
    Driftstemperatur maks.+175 °C
    Antal elementer per chip1
    TransistormaterialeSi
    Bredde6.22mm
    Driftstemperatur min.-55 °C
    SerieHEXFET
    Højde2.39mm
    Udgået fra lager - restordre leveres når lager er tilgængeligt
    Add to Basket
    Enheder

    Desværre har vi ikke dette produkt på lager.

    Restordre ikke mulig på grund af manglende allokering. Den evt. angivne systemtekniske leveringstid er ikke gyldig.

    Tilføjet

    Pris (Leveres i pakke af 10)

    kr 4,958

    (ekskl. moms)

    kr 6,198

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.Pr pakke*
    10 +kr 4,958kr 49,58