Vishay N-Kanal, MOSFET, 45 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SUM45N25-58
- RS-varenummer:
- 710-5026
- Producentens varenummer:
- SUM45N25-58-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 45,93
(ekskl. moms)
Kr. 57,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 45,93 |
| 10 - 49 | Kr. 41,29 |
| 50 - 99 | Kr. 36,73 |
| 100 - 249 | Kr. 33,59 |
| 250 + | Kr. 29,02 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 710-5026
- Producentens varenummer:
- SUM45N25-58-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SUM45N25-58 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 58mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 95nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.75W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.65mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SUM45N25-58 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 58mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 95nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.75W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.65mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 45 A 250 V Forbedring TO-263, SUM45N25-58
- onsemi N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 45 A 250 V TO-263, HEXFET
- onsemi N-Kanal 44 A 250 V Forbedring TO-263, UniFET
- Vishay N-Kanal 14 A 250 V Forbedring TO-263, IRF
- onsemi N-Kanal 50 A 250 V Forbedring TO-263, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 33 A 250 V Forbedring TO-263, UniFET
- Infineon N-Kanal 250 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET