onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NTB AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 800 enheder)*

Kr. 35.501,60

(ekskl. moms)

Kr. 44.376,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
800 - 800Kr. 44,377Kr. 35.501,60
1600 - 1600Kr. 43,49Kr. 34.792,00
2400 +Kr. 42,62Kr. 34.096,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
254-7664
Producentens varenummer:
NTBG060N065SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

58A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-263

Serie

NTB

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

117W

Portkildespænding maks.

22 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

74nC

Gennemgangsspænding Vf

4.5V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L


ON Semiconductor NTB serien af en siliciumkarbid mosfet bruger en helt ny teknologi, der giver fremragende skifteydelse og højere pålidelighed sammenlignet med silicium. Desuden med lav modstand ved tænding og kompakt chipstørrelse. Det sikrer en lav kapacitet og gate-opladning. Derfor omfatter systemfordelene højeste effektivitet, hurtigere driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.

Højere systempålidelighed, ultralav gate-opladning, høj hastighed for omskiftning og lav kapacitet

Relaterede links