onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 201 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, NTB Nej NTB004N10G
- RS-varenummer:
- 202-5688
- Producentens varenummer:
- NTB004N10G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 219,46
(ekskl. moms)
Kr. 274,325
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.245 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 43,892 | Kr. 219,46 |
| 50 - 95 | Kr. 37,848 | Kr. 189,24 |
| 100 + | Kr. 32,792 | Kr. 163,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5688
- Producentens varenummer:
- NTB004N10G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 201A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | NTB | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.82mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 340W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 175nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 15.88mm | |
| Bredde | 4.83 mm | |
| Længde | 10.63mm | |
| Standarder/godkendelser | Pb-Free and are RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 201A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie NTB | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.82mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 340W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 175nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 15.88mm | ||
Bredde 4.83 mm | ||
Længde 10.63mm | ||
Standarder/godkendelser Pb-Free and are RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor Power MOSFET kører med 201 ampere og 100 volt. Den kan bruges i Hot Swap i 48 V systemer.
Lavt dræn til kilde på modstand
Håndterer høje strømstyrker
Bredt sikkert arbejdsområde
Blyfri
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 201 A 100 V D2PAK (TO-263), NTB NTB004N10G
- onsemi N-Kanal 185 A 150 V D2PAK (TO-263), NTB NTBGS4D1N15MC
- onsemi N-Kanal 121 A. 150 V D2PAK (TO-263), NTB NTBGS6D5N15MC
- onsemi N-Kanal 60 A 1200 V D2PAK (TO-263), NTB NTBG040N120SC1
- onsemi N-Kanal 19 7 ben NTB NTBG160N120SC1
- onsemi N-Kanal 60 A 100 V D2PAK (TO-263), NTB NTBS9D0N10MC
- onsemi N-Kanal 60 A 1200 V D2PAK (TO-263), NVB NVBG040N120SC1
- onsemi N-Kanal 70 A 650 V D2PAK-7L, NTB NTBG023N065M3S
