onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NTB Nej

Se alle MOSFET
Manglende forsyning
På grund af en global forsyningsmangel ved vi ikke, hvornår dette er på lager igen.
RS-varenummer:
202-5689
Producentens varenummer:
NTBG040N120SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-263

Serie

NTB

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

357W

Portkildespænding maks.

25 V

Gennemgangsspænding Vf

3.7V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

106nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

4.7 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

10.2mm

Højde

15.7mm

Bilindustristandarder

Nej

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L


ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 60 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i nødstrømsforsyning, DC- eller DC-konverter, boostinverter.

40 MB dræn til kilde på modstand

Ultralav gate-opladning

100 % avalanche-testet

Blyfri

I overensstemmelse med RoHS

Relaterede links