onsemi N-Kanal, MOSFET og Diode, 19.5 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NTB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 205-2493
- Producentens varenummer:
- NTBG160N120SC1
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 26.403,20
(ekskl. moms)
Kr. 33.004,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | Kr. 33,004 | Kr. 26.403,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 205-2493
- Producentens varenummer:
- NTBG160N120SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | NTB | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 225mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33.8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 9.7mm | |
| Højde | 4.3mm | |
| Længde | 15.1mm | |
| Standarder/godkendelser | Pb-Free, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie NTB | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 225mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33.8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 9.7mm | ||
Højde 4.3mm | ||
Længde 15.1mm | ||
Standarder/godkendelser Pb-Free, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
ON Semiconductor SiC N-kanal 1200 V MOSFET bruger en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og større pålidelighed sammenlignet med silicium. Desuden sikrer den lave MODSTAND og kompakte chip-størrelse lav kapacitet og gate-opladning. Systemfordelene omfatter derfor den højeste effektivitet, Faster driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.
Konstant strømkapacitet for dræn er 19,5A
Dræn til kilde ved modstand er 224 Mohm
Ultralav gateopladning
Skift ved høj hastighed og lav kapacitet
100 % lavine-testet