onsemi N-Kanal, MOSFET og Diode, 60 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, NTB
- RS-varenummer:
- 205-2495
- Producentens varenummer:
- NTBS9D0N10MC
- Brand:
- onsemi
Indhold (800 enheder, på en rulle med 800)*
Kr. 13.068,80
(ekskl. moms)
Kr. 16.336,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 800 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | Kr. 16,336 | Kr. 13.068,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 205-2495
- Producentens varenummer:
- NTBS9D0N10MC
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 14.6mm | |
| Bredde | 9.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 14.6mm | ||
Bredde 9.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor enkelt N-kanal 100 V MOSFET bruger en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og højere pålidelighed sammenlignet med silicium. Desuden sikrer den lave MODSTAND og kompakte chip-størrelse lav kapacitet og gate-opladning. Systemfordelene omfatter derfor den højeste effektivitet, Faster driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.
Konstant strømkapacitet for dræn er 60 A.
Dræn til kilde på modstand er 9,0 Mohm
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Optimeret skifteevne
Lav QG og kapacitans for at minimere tab af driver
Branchens laveste Qrr- og blødeste husdiode giver fremragende lav støj skift
Sænker switching-støj/EMI
Høj effektivitet med lavere skiftespids og EMI
Pakketypen er D2PAK3