onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NTB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 254-7665
- Producentens varenummer:
- NTBG060N065SC1
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 63,67
(ekskl. moms)
Kr. 79,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 737 enhed(er) afsendes fra 04. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 63,67 |
| 10 - 99 | Kr. 54,95 |
| 100 - 499 | Kr. 47,63 |
| 500 + | Kr. 41,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 254-7665
- Producentens varenummer:
- NTBG060N065SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | NTB | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 117W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 74nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie NTB | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 117W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 74nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
ON Semiconductor NTB serien af en siliciumkarbid mosfet bruger en helt ny teknologi, der giver fremragende skifteydelse og højere pålidelighed sammenlignet med silicium. Desuden med lav modstand ved tænding og kompakt chipstørrelse. Det sikrer en lav kapacitet og gate-opladning. Derfor omfatter systemfordelene højeste effektivitet, hurtigere driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.
Højere systempålidelighed, ultralav gate-opladning, høj hastighed for omskiftning og lav kapacitet
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring HPSOF-8L, NTB AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 19.5 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB
- onsemi Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB
- onsemi Type N-Kanal 121 A 150 V Forbedring TO-263, NTB
- onsemi Type N-Kanal 201 A 100 V Forbedring TO-263, NTB
- onsemi Type N-Kanal 70 A 650 V Forbedring TO-263, NTB