onsemi N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NTB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 254-7665
- Producentens varenummer:
- NTBG060N065SC1
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 78,47
(ekskl. moms)
Kr. 98,09
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 657 enhed(er) afsendes fra 29. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 78,47 |
| 10 - 99 | Kr. 67,62 |
| 100 - 499 | Kr. 58,72 |
| 500 + | Kr. 51,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 254-7665
- Producentens varenummer:
- NTBG060N065SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 74nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 117W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 74nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 117W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
ON Semiconductor NTB serien af en siliciumkarbid mosfet bruger en helt ny teknologi, der giver fremragende skifteydelse og højere pålidelighed sammenlignet med silicium. Desuden med lav modstand ved tænding og kompakt chipstørrelse. Det sikrer en lav kapacitet og gate-opladning. Derfor omfatter systemfordelene højeste effektivitet, hurtigere driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.
Højere systempålidelighed, ultralav gate-opladning, høj hastighed for omskiftning og lav kapacitet