onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, HPSOF-8L, NTB AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 94.546,00

(ekskl. moms)

Kr. 118.182,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 28. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 - 2000Kr. 47,273Kr. 94.546,00
4000 - 4000Kr. 46,06Kr. 92.120,00
6000 +Kr. 44,909Kr. 89.818,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
254-7666
Producentens varenummer:
NTBL045N065SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

58A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

NTB

Emballagetype

HPSOF-8L

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

117W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

105nC

Gennemgangsspænding Vf

4.5V

Portkildespænding maks.

22 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TOLL siliciumkarbid (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL


ON Semiconductor NTB serien af en siliciumkarbid mosfet bruger en helt ny teknologi, der giver fremragende skifteydelse og højere pålidelighed sammenlignet med silicium. Desuden med lav modstand ved tænding og kompakt chipstørrelse. Det sikrer en lav kapacitet og gate-opladning. Derfor omfatter systemfordelene højeste effektivitet, hurtigere driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.

Nul omvendt genoprettelsesstrøm af husdiode, ultralav gate-opladning, høj hastighed skifte og lav kapacitet

Relaterede links