onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, HPSOF-8L, NTB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 254-7666
- Producentens varenummer:
- NTBL045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 94.546,00
(ekskl. moms)
Kr. 118.182,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | Kr. 47,273 | Kr. 94.546,00 |
| 4000 - 4000 | Kr. 46,06 | Kr. 92.120,00 |
| 6000 + | Kr. 44,909 | Kr. 89.818,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 254-7666
- Producentens varenummer:
- NTBL045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | HPSOF-8L | |
| Serie | NTB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 117W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 105nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype HPSOF-8L | ||
Serie NTB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 117W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 105nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TOLL siliciumkarbid (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL
ON Semiconductor NTB serien af en siliciumkarbid mosfet bruger en helt ny teknologi, der giver fremragende skifteydelse og højere pålidelighed sammenlignet med silicium. Desuden med lav modstand ved tænding og kompakt chipstørrelse. Det sikrer en lav kapacitet og gate-opladning. Derfor omfatter systemfordelene højeste effektivitet, hurtigere driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.
Nul omvendt genoprettelsesstrøm af husdiode, ultralav gate-opladning, høj hastighed skifte og lav kapacitet
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring HPSOF-8L, NTB AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 37 A 650 V Forbedring HPSOF-8L, NTBL
- onsemi Type N-Kanal 46 A 650 V Forbedring HPSOF-8L, NTBL
- onsemi Type N-Kanal 19.5 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 55 A 650 V N HPSOF-8L, EliteSiC
- onsemi Type N-Kanal 77 A 650 V N HPSOF-8L, EliteSiC
- onsemi Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB