onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 77 A 650 V N, 8 Ben, HPSOF-8L, EliteSiC
- RS-varenummer:
- 333-415
- Producentens varenummer:
- NTBL023N065M3S
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 106,44
(ekskl. moms)
Kr. 133,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.993 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 106,44 |
| 10 - 99 | Kr. 95,89 |
| 100 + | Kr. 88,41 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 333-415
- Producentens varenummer:
- NTBL023N065M3S
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 77A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | HPSOF-8L | |
| Serie | EliteSiC | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 32.6mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 69nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 312W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| Bredde | 10.38 mm | |
| Længde | 9.9mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 77A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype HPSOF-8L | ||
Serie EliteSiC | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 32.6mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 69nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 312W | ||
Gennemgangsspænding Vf 6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
Bredde 10.38 mm | ||
Længde 9.9mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
ON Semiconductor SiC MOSFET er optimeret til højeffektive switching-applikationer med lave ledningstab og robust termisk ydeevne. Dens avancerede design øger pålideligheden i krævende strømsystemer, samtidig med at den forbliver kompakt. Denne enhed sikrer effektiv drift med minimalt energiforbrug.
H PSOF8L-pakke
I overensstemmelse med RoHS
Pb-fri
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 55 A 650 V N HPSOF-8L, EliteSiC
- onsemi Type N-Kanal 37 A 650 V Forbedring HPSOF-8L, NTBL
- onsemi Type N-Kanal 46 A 650 V Forbedring HPSOF-8L, NTBL
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring HPSOF-8L, NTB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 77 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS C6
- Infineon Type N-Kanal 77 A 650 V Forbedring PG-LHSOF-4, IMT
- onsemi Type N-Kanal 77 A 1200 V Forbedring PIM18, NXH
- onsemi Type N-Kanal 16 A 650 V N TDFN, SUPERFET III