Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 77 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PG-LHSOF-4, IMT
- RS-varenummer:
- 349-056
- Producentens varenummer:
- IMTA65R020M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 100,91
(ekskl. moms)
Kr. 126,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 100,91 |
| 10 - 99 | Kr. 90,81 |
| 100 + | Kr. 83,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-056
- Producentens varenummer:
- IMTA65R020M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 77A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-LHSOF-4 | |
| Serie | IMT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 57nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 416W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 77A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-LHSOF-4 | ||
Serie IMT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 57nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 416W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 er bygget på Infineons robuste 2. generations Silicon Carbide trench-teknologi, der giver uovertruffen ydeevne, overlegen pålidelighed og enestående brugervenlighed. Denne MOSFET giver mulighed for omkostningseffektive, højeffektive og forenklede designs, hvilket gør den ideel til at opfylde de stadigt voksende krav til moderne kraftsystemer og markeder. Den avancerede teknologi giver en kraftfuld løsning til at opnå høj systemeffektivitet i en lang række applikationer.
Ultra lave koblingstab
Robust mod parasitisk tænding, selv med 0 V slukket gatespænding
Fleksibel drivspænding og kompatibel med bipolært drivsystem
Robust kropsdiodedrift under hårde kommuteringshændelser
.XT-forbindelsesteknologien giver klassens bedste termiske ydeevne
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 43 A 650 V Forbedring PG-LHSOF-4, IMT
- Infineon Type N-Kanal 54 A 650 V Forbedring PG-LHSOF-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 37 A 650 V Forbedring PG-LHSOF-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PG-LHSOF-4, IPT
- Infineon Type N-Kanal 38 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 144 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, IMZA65
- Infineon Type N-Kanal 53 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, IMZA65
- Infineon Type N-Kanal 64 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, IMZA65