Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 37 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PG-LHSOF-4, CoolSiC Nej IMTA65R060M2HXTMA1
- RS-varenummer:
- 349-060
- Producentens varenummer:
- IMTA65R060M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 54,86
(ekskl. moms)
Kr. 68,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 54,86 |
| 10 - 99 | Kr. 49,37 |
| 100 - 499 | Kr. 45,48 |
| 500 - 999 | Kr. 42,19 |
| 1000 + | Kr. 37,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-060
- Producentens varenummer:
- IMTA65R060M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 37A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-LHSOF-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 165W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 37A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-LHSOF-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 165W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 er bygget på Infineons robuste 2. generations Silicon Carbide trench-teknologi, der giver uovertruffen ydeevne, overlegen pålidelighed og enestående brugervenlighed. Denne MOSFET giver mulighed for omkostningseffektive, højeffektive og forenklede designs, hvilket gør den ideel til at opfylde de stadigt voksende krav til moderne kraftsystemer og markeder. Den avancerede teknologi giver en kraftfuld løsning til at opnå høj systemeffektivitet i en lang række applikationer.
Ultra lave koblingstab
Robust mod parasitisk tænding, selv med 0 V slukket gatespænding
Fleksibel drivspænding og kompatibel med bipolært drivsystem
Robust kropsdiodedrift under hårde kommuteringshændelser
.XT-forbindelsesteknologien giver klassens bedste termiske ydeevne
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 54 A 650 V Forbedring PG-LHSOF-4, CoolSiC Nej IMTA65R040M2HXTMA1
- Infineon Type N-Kanal 43 A 650 V Forbedring PG-LHSOF-4, IMT Nej IMTA65R050M2HXTMA1
- Infineon Type N-Kanal 77 A 650 V Forbedring PG-LHSOF-4, IMT Nej IMTA65R020M2HXTMA1
- Infineon Type N-Kanal 196 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1 Nej IMT65R022M1HXUMA1
- Infineon Type N-Kanal 44 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1 Nej IMT65R057M1HXUMA1
- Infineon Type N-Kanal 61 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1 Nej IMT65R039M1HXUMA1
- Infineon Type N-Kanal 59 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1 Nej IMT65R083M1HXUMA1
- Infineon Type N-Kanal 142 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1 Nej IMT65R030M1HXUMA1