onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 650 V N, 8 Ben, HPSOF-8L, EliteSiC Nej NTBL032N065M3S
- RS-varenummer:
- 333-416
- Producentens varenummer:
- NTBL032N065M3S
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 57,45
(ekskl. moms)
Kr. 71,81
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.990 enhed(er) afsendes fra 30. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 57,45 |
| 10 - 99 | Kr. 51,76 |
| 100 - 499 | Kr. 47,72 |
| 500 - 999 | Kr. 44,28 |
| 1000 + | Kr. 35,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 333-416
- Producentens varenummer:
- NTBL032N065M3S
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | EliteSiC | |
| Emballagetype | HPSOF-8L | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 6V | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 227W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 9.9mm | |
| Bredde | 10.38 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie EliteSiC | ||
Emballagetype HPSOF-8L | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 6V | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 227W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 9.9mm | ||
Bredde 10.38 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | ||
Højde 2.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
ON Semiconductor SiC MOSFET er designet til effektiv strømskiftning med lave ledningstab og forbedret termisk ydeevne. Den kompakte struktur sikrer pålidelig drift i applikationer med høj effekt, samtidig med at den minimerer pladsbehovet. Denne enhed er optimeret til energieffektivitet, hvilket reducerer systemets samlede strømforbrug.
H PSOF8L-pakke
I overensstemmelse med RoHS
Pb-fri
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 49 A 650 V H-PSOF8L, NTBL050N65S NTBL050N65S3H
- onsemi N-Kanal 77 A 650 V H-PSOF8L, NTBL02 NTBL023N065M3S
- onsemi N-Kanal 187 A 150 V H-PSOF8L NTBLS4D0N15MC
- onsemi N-Kanal 240 A 100 V H-PSOF8L FDBL86066-F085
- onsemi N-Kanal 470 A 60 V H-PSOF8L, NTBLS0D7N06C NTBLS0D7N06C
- onsemi N-Kanal 55 A 650 V TO-247-4, SiC Power NTH4L045N065SC1
- onsemi N-Kanal 40 A 650 V H-PSAF8L, SUPERFET III NTBL082N65S3HF
- onsemi N-Kanal 73 A 650 V, HPSOF8L NTBL045N065SC1
