onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NTB
- RS-varenummer:
- 277-040
- Producentens varenummer:
- NTBG023N065M3S
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 79,36
(ekskl. moms)
Kr. 99,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 795 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 79,36 |
| 10 - 99 | Kr. 71,43 |
| 100 - 499 | Kr. 65,82 |
| 500 - 999 | Kr. 61,11 |
| 1000 + | Kr. 49,67 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 277-040
- Producentens varenummer:
- NTBG023N065M3S
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | NTB | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 69nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 263W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 9.2mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | |
| Højde | 15.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie NTB | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 23mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 69nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 263W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 9.2mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | ||
Højde 15.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ON Semiconductor SiC MOSFETs er optimeret til applikationer med hurtige skift. Planarteknologi fungerer pålideligt med negativ gatespænding og slukker for spidser på gaten. Den har optimal ydeevne, når den drives med 18V gate-drive, men fungerer også godt med 15V gate-drive.
Ultra lav gate-ladning
Højhastighedsskift med lav kapacitans
100% lavine testet
Enheden er halidfri og RoHS-kompatibel
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 185 A 150 V Forbedring TO-263, NTB
- onsemi Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB
- onsemi Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB
- onsemi Type N-Kanal 201 A 100 V Forbedring TO-263, NTB
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-263, NTB
- onsemi Type N-Kanal 19.5 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 36 A 650 V Forbedring TO-263