onsemi N-Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NTB
- RS-varenummer:
- 277-040
- Producentens varenummer:
- NTBG023N065M3S
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 80,63
(ekskl. moms)
Kr. 100,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 595 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 80,63 |
| 10 - 99 | Kr. 72,63 |
| 100 - 499 | Kr. 66,87 |
| 500 - 999 | Kr. 62,08 |
| 1000 + | Kr. 50,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 277-040
- Producentens varenummer:
- NTBG023N065M3S
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 69nC | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 263W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 9.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | |
| Højde | 15.4mm | |
| Længde | 9.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 23mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 69nC | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 263W | ||
Gennemgangsspænding Vf 6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 9.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | ||
Højde 15.4mm | ||
Længde 9.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ON Semiconductor SiC MOSFETs er optimeret til applikationer med hurtige skift. Planarteknologi fungerer pålideligt med negativ gatespænding og slukker for spidser på gaten. Den har optimal ydeevne, når den drives med 18V gate-drive, men fungerer også godt med 15V gate-drive.
Ultra lav gate-ladning
Højhastighedsskift med lav kapacitans
100% lavine testet
Enheden er halidfri og RoHS-kompatibel