onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NTB

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 79,36

(ekskl. moms)

Kr. 99,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 800 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 79,36
10 - 99Kr. 71,43
100 - 499Kr. 65,82
500 - 999Kr. 61,11
1000 +Kr. 49,67

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
277-040
Producentens varenummer:
NTBG023N065M3S
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

70A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-263

Serie

NTB

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

23mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

69nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

263W

Portkildespænding maks.

22 V

Gennemgangsspænding Vf

6V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection)

Højde

15.4mm

Længde

9.2mm

Bredde

9.9 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
ON Semiconductor SiC MOSFETs er optimeret til applikationer med hurtige skift. Planarteknologi fungerer pålideligt med negativ gatespænding og slukker for spidser på gaten. Den har optimal ydeevne, når den drives med 18V gate-drive, men fungerer også godt med 15V gate-drive.

Ultra lav gate-ladning

Højhastighedsskift med lav kapacitans

100% lavine testet

Enheden er halidfri og RoHS-kompatibel

Relaterede links