onsemi Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 19.5 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NTB AEC-Q101 NTBG160N120SC1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 228,71

(ekskl. moms)

Kr. 285,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.505 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 45,742Kr. 228,71

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
205-2494
Producentens varenummer:
NTBG160N120SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET og Diode

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19.5A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

NTB

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

225mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

33.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

136W

Gennemgangsspænding Vf

3.9V

Portkildespænding maks.

25 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

4.3mm

Bredde

9.7 mm

Standarder/godkendelser

Pb-Free, RoHS

Længde

15.1mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L


ON Semiconductor SiC N-kanal 1200 V MOSFET bruger en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og større pålidelighed sammenlignet med silicium. Desuden sikrer den lave MODSTAND og kompakte chip-størrelse lav kapacitet og gate-opladning. Systemfordelene omfatter derfor den højeste effektivitet, Faster driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.

Konstant strømkapacitet for dræn er 19,5A

Dræn til kilde ved modstand er 224 Mohm

Ultralav gateopladning

Skift ved høj hastighed og lav kapacitet

100 % lavine-testet

Relaterede links