onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NTB Nej NTBG080N120SC1

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 38,09

(ekskl. moms)

Kr. 47,61

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 745 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 38,09

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
205-2450
Producentens varenummer:
NTBG080N120SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

NTB

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

110mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

25 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Gennemgangsspænding Vf

3.9V

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

15.1mm

Standarder/godkendelser

This Device is Pb-Free and is RoHS

Højde

4.3mm

Bredde

9.7 mm

Bilindustristandarder

Nej

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L


ON Semiconductor siliciumcarbid (SiC) N-kanal MOSFET bruger en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og større pålidelighed sammenlignet med silicium. Desuden sikrer den lave MODSTAND og kompakte chip-størrelse lav kapacitet og gate-opladning. Systemfordelene omfatter derfor den højeste effektivitet, Faster driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.

Lav modstand 80 Mohm type

Høj samledstemperatur

Ultralav gate-opladning

Lav effektiv udgangskapacitet

Relaterede links