onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NTB Nej NTBG040N120SC1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 671,70

(ekskl. moms)

Kr. 839,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Manglende forsyning
  • Plus 725 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 134,34Kr. 671,70
50 +Kr. 115,79Kr. 578,95

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
202-5690
Producentens varenummer:
NTBG040N120SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-263

Serie

NTB

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

106nC

Effektafsættelse maks. Pd

357W

Portkildespænding maks.

25 V

Gennemgangsspænding Vf

3.7V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

15.7mm

Længde

10.2mm

Bredde

4.7 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L


ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 60 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i nødstrømsforsyning, DC- eller DC-konverter, boostinverter.

40 MB dræn til kilde på modstand

Ultralav gate-opladning

100 % avalanche-testet

Blyfri

I overensstemmelse med RoHS

Relaterede links