onsemi N-Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NTB
- RS-varenummer:
- 202-5690
- Producentens varenummer:
- NTBG040N120SC1
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 716,28
(ekskl. moms)
Kr. 895,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- 325 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 143,256 | Kr. 716,28 |
| 50 + | Kr. 123,494 | Kr. 617,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5690
- Producentens varenummer:
- NTBG040N120SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.7V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 357W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 106nC | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Længde | 10.2mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 15.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.7V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 357W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 106nC | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.7mm | ||
Længde 10.2mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 15.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 60 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i nødstrømsforsyning, DC- eller DC-konverter, boostinverter.
40 MB dræn til kilde på modstand
Ultralav gate-opladning
100 % avalanche-testet
Blyfri
I overensstemmelse med RoHS