STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 250 mA 800 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223 Nej STN1NK80Z
- RS-varenummer:
- 714-1076
- Producentens varenummer:
- STN1NK80Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 12,49
(ekskl. moms)
Kr. 15,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.690 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 1,249 | Kr. 12,49 |
| 100 - 490 | Kr. 0,935 | Kr. 9,35 |
| 500 - 990 | Kr. 0,793 | Kr. 7,93 |
| 1000 + | Kr. 0,636 | Kr. 6,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 714-1076
- Producentens varenummer:
- STN1NK80Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 250mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.8mm | |
| Bredde | 3.5 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.5mm | |
| Distrelec Product Id | 304-43-898 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 250mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 16Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.8mm | ||
Bredde 3.5 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.5mm | ||
Distrelec Product Id 304-43-898 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 250 mA 800 V Forbedring SOT-223 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 400 mA 600 V Forbedring SOT-223 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 600 mA 450 V Forbedring SOT-223 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 400 mA 600 V Forbedring SOT-223 Nej STN1HNK60
- STMicroelectronics Type N-Kanal 600 mA 450 V Forbedring SOT-223 Nej STN3N45K3
- STMicroelectronics Type N-Kanal 300 mA 600 V Forbedring SOT-223, SuperMESH Nej STN1NK60Z
- Nexperia Type N-Kanal 375 mA 250 V Forbedring SOT-223, BSP126 Nej
- DiodesZetex Type P-Kanal 260 mA 250 V Forbedring SOT-223 AEC-Q101
