STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 400 mA 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-92 Nej STQ1HNK60R-AP
- RS-varenummer:
- 714-6796
- Producentens varenummer:
- STQ1HNK60R-AP
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 42,94
(ekskl. moms)
Kr. 53,68
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 70 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
- Plus 140 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
- Plus 5.640 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 4,294 | Kr. 42,94 |
| 20 + | Kr. 4,077 | Kr. 40,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 714-6796
- Producentens varenummer:
- STQ1HNK60R-AP
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 400mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.94 mm | |
| Længde | 4.95mm | |
| Højde | 4.95mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 400mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.94 mm | ||
Længde 4.95mm | ||
Højde 4.95mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V til 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 400 mA 600 V TO-92 SuperMESH STQ1HNK60R-AP
- STMicroelectronics N-Kanal 400 mA 600 V SOT-223 SuperMESH STN1HNK60
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 600 V ISOTOP SuperMESH STE40NC60
- STMicroelectronics N-Kanal 13 A 600 V TO-220 SuperMESH STP13NK60Z
- STMicroelectronics N-Kanal 2 3 ben MDmesh, SuperMESH STP3NK60ZFP
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 600 V TO-220 SuperMESH STP4NK60Z
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 600 V TO-220FP SuperMESH STP4NK60ZFP
- STMicroelectronics N-Kanal 7 A 600 V TO-220 SuperMESH STP9NK60Z
