STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 400 mA 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, MDmesh, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 714-6796
- Producentens varenummer:
- STQ1HNK60R-AP
- Brand:
- STMicroelectronics
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 150,60
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 43,53
(ekskl. moms)
Kr. 54,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- 310 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 4.990 enhed(er) afsendes fra 20. november 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 4,353 | Kr. 43,53 | - |
| 100 - 490 | Kr. 2,847 | Kr. 28,47 | Kr. 150,60 |
| 500 - 990 | Kr. 2,19 | Kr. 21,90 | Kr. 1.081,50 |
| 1000 - 1990 | Kr. 1,994 | Kr. 19,94 | Kr. 2.359,00 |
| 2000 + | Kr. 1,802 | Kr. 18,02 | Kr. 5.102,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 714-6796
- Producentens varenummer:
- STQ1HNK60R-AP
- Brand:
- STMicroelectronics
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 400mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.95mm | |
| Bredde | 3.94mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 4.95mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 400mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.95mm | ||
Bredde 3.94mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 4.95mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V til 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 400 mA 600 V Forbedring TO-92 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 400 mA 600 V Forbedring SOT-223 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 9 A 400 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 5.4 A 400 V Forbedring TO-252 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 15 A 400 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 53 A 500 V Forbedring ISOTOP SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 1.85 A 1 kV Forbedring IPAK SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 600 V Forbedring ISOTOP SuperMESH
