Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET Nej IRLML6344TRPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 40,40

(ekskl. moms)

Kr. 50,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 480 enhed(er) klar til afsendelse
  • Plus 3.160 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 2,02Kr. 40,40
200 - 480Kr. 1,373Kr. 27,46
500 - 980Kr. 1,294Kr. 25,88
1000 - 1980Kr. 1,212Kr. 24,24
2000 +Kr. 1,115Kr. 22,30

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
737-7225
Producentens varenummer:
IRLML6344TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOT-23

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

37mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

12 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.3W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.8nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.4 mm

Højde

1.02mm

Længde

3.04mm

Bilindustristandarder

Nej

Distrelec Product Id

304-45-318

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 5A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 30V maksimal drænkildespænding - IRLML6344TRPBF


Denne MOSFET er en højtydende N-kanals overflademonteret enhed, der er velegnet til forskellige anvendelser i elektronik- og automationssektoren. Den er designet i en kompakt SOT-23-pakke og måler 3,04 mm i længden, 1,4 mm i bredden og 1,02 mm i højden. Den har en fremragende termisk ydeevne med et driftstemperaturområde på -55 °C til +150 °C.

Egenskaber og fordele


• Giver en kontinuerlig afløbsstrøm på 5A for robust ydeevne

• Maksimal drain-source-spænding på 30 V understøtter forskellige krav

• Lav RDS(on) på 29mΩ ved VGS = 4,5V reducerer effekttab

• Bredt gate-tærskelspændingsområde muliggør fleksibel drift

• Effektivt strømforbrug på 1,3 W øger pålideligheden

Anvendelser


• Ideel til mikrocontroller-belastningsskift i elektroniske systemer

• Bruges i strømstyringsløsninger til bilindustrien

• Effektiv i DC-DC-konvertere til effektiv energiomdannelse

• Velegnet til batteristyringssystemer for at forbedre ydeevnen

• Effektiv i motorstyringskredsløb til automatiseringsopgaver

Hvad er betydningen af den lave RDS(on)-værdi?


Den lave RDS(on)-værdi indikerer lavere ledningstab, hvilket betyder bedre effektivitet, især i applikationer med høj strøm. Denne egenskab er afgørende for at reducere varmeudviklingen i effektelektronik.

Hvilket spændingsområde kan anvendes på gate-source-overgangen?


Den maksimale gate-source-spænding er ±12V, hvilket giver fleksibilitet i køreforholdene og samtidig sikrer enhedens integritet inden for de nominelle grænser.

Hvordan klarer enheden sig under høje temperaturer?


Med en maksimal driftstemperatur på +150 °C er MOSFET'en bygget til at modstå barske miljøer, hvilket sikrer pålidelig funktionalitet i krævende applikationer.

Hvilke fordele giver det overflademonterede design?


SOT-23-overflademonteringsdesignet giver mulighed for kompakte kredsløbslayouts og forbedrer den termiske styring, hvilket gør den ideel til moderne elektroniske samlinger.

Relaterede links