Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- RS-varenummer:
- 737-7225
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-45-318
- Producentens varenummer:
- IRLML6344TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 39,34
(ekskl. moms)
Kr. 49,18
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 1,967 | Kr. 39,34 |
| 200 - 480 | Kr. 1,332 | Kr. 26,64 |
| 500 - 980 | Kr. 1,257 | Kr. 25,14 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,175 | Kr. 23,50 |
| 2000 + | Kr. 1,081 | Kr. 21,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 737-7225
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-45-318
- Producentens varenummer:
- IRLML6344TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 37mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.3W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 37mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.3W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 5A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 30V maksimal drænkildespænding - IRLML6344TRPBF
Denne MOSFET er en højtydende N-kanals overflademonteret enhed, der er velegnet til forskellige anvendelser i elektronik- og automationssektoren. Den er designet i en kompakt SOT-23-pakke og måler 3,04 mm i længden, 1,4 mm i bredden og 1,02 mm i højden. Den har en fremragende termisk ydeevne med et driftstemperaturområde på -55 °C til +150 °C.
Egenskaber og fordele
• Giver en kontinuerlig afløbsstrøm på 5A for robust ydeevne
• Maksimal drain-source-spænding på 30 V understøtter forskellige krav
• Lav RDS(on) på 29mΩ ved VGS = 4,5V reducerer effekttab
• Bredt gate-tærskelspændingsområde muliggør fleksibel drift
• Effektivt strømforbrug på 1,3 W øger pålideligheden
Anvendelser
• Ideel til mikrocontroller-belastningsskift i elektroniske systemer
• Bruges i strømstyringsløsninger til bilindustrien
• Effektiv i DC-DC-konvertere til effektiv energiomdannelse
• Velegnet til batteristyringssystemer for at forbedre ydeevnen
• Effektiv i motorstyringskredsløb til automatiseringsopgaver
Hvad er betydningen af den lave RDS(on)-værdi?
Den lave RDS(on)-værdi indikerer lavere ledningstab, hvilket betyder bedre effektivitet, især i applikationer med høj strøm. Denne egenskab er afgørende for at reducere varmeudviklingen i effektelektronik.
Hvilket spændingsområde kan anvendes på gate-source-overgangen?
Den maksimale gate-source-spænding er ±12V, hvilket giver fleksibilitet i køreforholdene og samtidig sikrer enhedens integritet inden for de nominelle grænser.
Hvordan klarer enheden sig under høje temperaturer?
Med en maksimal driftstemperatur på +150 °C er MOSFET'en bygget til at modstå barske miljøer, hvilket sikrer pålidelig funktionalitet i krævende applikationer.
Hvilke fordele giver det overflademonterede design?
SOT-23-overflademonteringsdesignet giver mulighed for kompakte kredsløbslayouts og forbedrer den termiske styring, hvilket gør den ideel til moderne elektroniske samlinger.