onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 9.5 A 20 V Forbedring, 6 Ben, MLP, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 739-6241
- Producentens varenummer:
- FDMA410NZ
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 35,38
(ekskl. moms)
Kr. 44,225
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 7,076 | Kr. 35,38 |
| 50 - 95 | Kr. 6,104 | Kr. 30,52 |
| 100 - 495 | Kr. 5,28 | Kr. 26,40 |
| 500 - 995 | Kr. 4,652 | Kr. 23,26 |
| 1000 + | Kr. 4,234 | Kr. 21,17 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 739-6241
- Producentens varenummer:
- FDMA410NZ
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | MLP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 50mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 900mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.75mm | |
| Længde | 2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype MLP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 50mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 900mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.75mm | ||
Længde 2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, op til 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 9.5 A 20 V Forbedring MLP, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 22 A 60 V Forbedring MLP, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 19 A 150 V Forbedring MLP, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 16 A 100 V Forbedring MLP, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 10 A 40 V Forbedring MLP, PowerTrench
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 5 A 20 V Forbedring MLP, PowerTrench
- onsemi 2 Type P MOSFET 6 Ben PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 8 A 12 V Forbedring MLP, PowerTrench