DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 14.4 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 751-4161
- Producentens varenummer:
- DMN3024LK3-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 25 enheder)*
Kr. 85,125
(ekskl. moms)
Kr. 106,40
(inkl. moms)
Tilføj 250 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 3,405 | Kr. 85,13 |
| 125 - 600 | Kr. 2,121 | Kr. 53,03 |
| 625 - 1225 | Kr. 1,882 | Kr. 47,05 |
| 1250 + | Kr. 1,678 | Kr. 41,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 751-4161
- Producentens varenummer:
- DMN3024LK3-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | DMN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 39mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 8.9W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.9nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie DMN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 39mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 8.9W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.9nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.39mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 14.4 A 30 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 38 A 30 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 43 A 30 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 28 A 40 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 80 A 30 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 12.2 A 40 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 5 A 60 V Forbedring SOIC, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.3 A 100 V Forbedring PowerDI3333, DMN AEC-Q101
