DiodesZetex P-Kanal, MOSFET, 5,8 A 20 V, 8 ben, SOP DMP2066LSD-13
- RS-varenummer:
- 751-4222
- Producentens varenummer:
- DMP2066LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 38,30
(ekskl. moms)
Kr. 47,90
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 3,83 | Kr. 38,30 |
| 50 + | Kr. 3,605 | Kr. 36,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 751-4222
- Producentens varenummer:
- DMP2066LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 5,8 A | |
| Drain source spænding maks. | 20 V | |
| Kapslingstype | SOP | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. | 70 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. | 2 W | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Gate source spænding maks. | -12 V, +12 V | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Bredde | 4.1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Længde | 5.3mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 10,1 nC ved 10 V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Højde | 1.5mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 5,8 A | ||
Drain source spænding maks. 20 V | ||
Kapslingstype SOP | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. 70 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. 2 W | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Gate source spænding maks. -12 V, +12 V | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Bredde 4.1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Længde 5.3mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 10,1 nC ved 10 V | ||
Transistormateriale Si | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Højde 1.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 5.8 A 20 V Forbedring SOP
- DiodesZetex Type P-Kanal 6 A 30 V Forbedring SOP, DMP3056LSS AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 5.8 A 30 V Forbedring SOP AEC-Q101
- Infineon P-Kanal 5 8 ben HEXFET IRF7406TRPBF
- DiodesZetex Type P-Kanal PowerDI5060-8
- DiodesZetex Type P-Kanal PowerDI5060-8
- DiodesZetex P-kanal-Kanal -3.8 A -30 V Forbedring SOT-23, DMP3099L
- ROHM Type P-Kanal 16 A 40 V P SOP, RS3G160AT