DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 310 mA 250 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, ZVN4525G AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 751-5269
- Producentens varenummer:
- ZVN4525GTA
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 56,86
(ekskl. moms)
Kr. 71,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 610 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 5,686 | Kr. 56,86 |
| 50 - 240 | Kr. 4,361 | Kr. 43,61 |
| 250 - 490 | Kr. 3,426 | Kr. 34,26 |
| 500 + | Kr. 3,276 | Kr. 32,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 751-5269
- Producentens varenummer:
- ZVN4525GTA
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 310mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | ZVN4525G | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1V | |
| Portkildespænding maks. | 40 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.7mm | |
| Bredde | 3.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.7mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 310mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie ZVN4525G | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1V | ||
Portkildespænding maks. 40 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.7mm | ||
Bredde 3.7 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.7mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 100 V til 950 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 310 mA 250 V Forbedring SOT-223 AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 310 mA 100 V Forbedring SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 310 mA 100 V Forbedring SOT-223 AEC-Q101 ZVP2110GTA
- DiodesZetex Type N-Kanal 1 A 60 V Forbedring SOT-223 AEC-Q100 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 710 mA 60 V Forbedring SOT-223 AEC-Q101 AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal 140 mA 450 V Forbedring SOT-223 AEC-Q100 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 500 mA 100 V Forbedring SOT-223 AEC-Q200 AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal 710 mA 60 V Forbedring SOT-223 AEC-Q101 AEC-Q100 ZVN2106GTA
