onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 14 A 250 V Forbedring, 8 Ben, WDFN, UltraFET Nej FDMS2734

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 39,79

(ekskl. moms)

Kr. 49,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 252 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 39,79
10 - 99Kr. 34,26
100 - 499Kr. 29,70
500 - 999Kr. 26,11
1000 +Kr. 23,79

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
759-9598
Producentens varenummer:
FDMS2734
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

14A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Serie

UltraFET

Emballagetype

WDFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

258mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

78W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.75mm

Bredde

6 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Bilindustristandarder

Nej

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor


UItraFET® Trench MOSFET kombinerer egenskaber, der muliggør benchmark effektivt i strømkonverteringsprogrammer. Enheden kan modstå høj energi i avalanche-tilstand, og dioden fremviser meget lav omvendt genopretningstid og oplagret spænding. Optimeret til effektivitet ved høje frekvenser, laveste RDS(on), lav ESR og lav total og Miller gate-opladning.

Anvendelse i højfrekvente DC til DC konvertere, switching-regulatorer, motorstyringer, lavspændings bus-kontakter og strømstyring.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links