Infineon N-Kanal, MOSFET, 5,1 A 55 V, 8 ben, SOIC, HEXFET AUIRF7341Q

Infineons HEXFET® MOSFET-teknologi tilbyder AECQ-101 to-delte MOSFET enheder til brug i biler. Dual power MOSFET'er integrerer to HEXFET® enheder for at give en pladsbesparende og lønsom koblingsløsning med høj komponenttæthed til konstruktioner, hvor kortets størrelse er afgørende. Der kan vælges mellem en række huse, og udviklere kan vælge mellem konfigurationer med dobbelt N-kanal, dobbelt P-kanal eller dobbelt N/P-kanal.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.