STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 5.2 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263 Nej STB7NK80ZT4
- RS-varenummer:
- 760-9516
- Producentens varenummer:
- STB7NK80ZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 106,37
(ekskl. moms)
Kr. 132,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 50 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 285 enhed(er) afsendes fra 15. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 21,274 | Kr. 106,37 |
| 10 - 95 | Kr. 18,026 | Kr. 90,13 |
| 100 - 495 | Kr. 14,122 | Kr. 70,61 |
| 500 - 995 | Kr. 11,998 | Kr. 59,99 |
| 1000 + | Kr. 9,888 | Kr. 49,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 760-9516
- Producentens varenummer:
- STB7NK80ZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 40nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bredde | 10.4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 40nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.6mm | ||
Bredde 10.4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-263 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-220 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-220 Nej STP7NK80Z
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH Nej STP7NK80ZFP
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-263, MDmesh Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-263, MDmesh Nej STB18NM80
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-263, STB11NM80 Nej
