STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, DeepGate, STripFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold 2 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 41,88

(ekskl. moms)

Kr. 52,36

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder
Per stk.
2 +Kr. 20,94

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
760-9673P
Producentens varenummer:
STP260N6F6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

DeepGate, STripFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

183nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.4mm

Højde

15.75mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics