STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 13,5 A 600 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), MDmesh, SuperMESH STB14NK60ZT4
- RS-varenummer:
- 760-9812P
- Producentens varenummer:
- STB14NK60ZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 515,60
(ekskl. moms)
Kr. 644,50
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 120 | Kr. 20,624 |
| 125 - 245 | Kr. 17,86 |
| 250 - 495 | Kr. 16,93 |
| 500 + | Kr. 15,194 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 760-9812P
- Producentens varenummer:
- STB14NK60ZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 13,5 A | |
| Drain source spænding maks. | 600 V | |
| Kapslingstype | D2PAK (TO-263) | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 500 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4.5V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 3V | |
| Effektafsættelse maks. | 160 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Bredde | 10.4mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 10.75mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 75 nC ved 10 V | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Højde | 4.6mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 13,5 A | ||
Drain source spænding maks. 600 V | ||
Kapslingstype D2PAK (TO-263) | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 500 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4.5V | ||
Mindste tærskelspænding for port 3V | ||
Effektafsættelse maks. 160 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V | ||
Bredde 10.4mm | ||
Transistormateriale Si | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Længde 10.75mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 75 nC ved 10 V | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Højde 4.6mm | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V til 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics