STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 2.1 A 900 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 761-0099
- Producentens varenummer:
- STP2NK90Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 36,62
(ekskl. moms)
Kr. 45,775
(inkl. moms)
Tilføj 70 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 1.415 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 7,324 | Kr. 36,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 761-0099
- Producentens varenummer:
- STP2NK90Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 900V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 70W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Højde | 15.75mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 900V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 70W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Højde 15.75mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.1 A 900 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 900 V Forbedring TO-220, SiC MOSFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 A 900 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.8 A 900 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 8 A 900 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.8 A 900 V Forbedring TO-247
- STMicroelectronics Type N-Kanal 8 A 900 V Forbedring TO-220FP
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.8 A 900 V Forbedring TO-263