STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 280 A 24 V, 10 ben, PowerSO, STripFET STV300NH02L
- RS-varenummer:
- 761-0257P
- Producentens varenummer:
- STV300NH02L
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 125,30
(ekskl. moms)
Kr. 156,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 19 | Kr. 12,53 |
| 20 + | Kr. 11,16 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 761-0257P
- Producentens varenummer:
- STV300NH02L
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 280 A | |
| Drain source spænding maks. | 24 V | |
| Serie | STripFET | |
| Kapslingstype | PowerSO | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 10 | |
| Drain source modstand maks. | 1 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 2V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 1V | |
| Effektafsættelse maks. | 300 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Bredde | 9.5mm | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 109 nC ved 10 V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Længde | 9.6mm | |
| Højde | 3.75mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 280 A | ||
Drain source spænding maks. 24 V | ||
Serie STripFET | ||
Kapslingstype PowerSO | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 10 | ||
Drain source modstand maks. 1 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 2V | ||
Mindste tærskelspænding for port 1V | ||
Effektafsættelse maks. 300 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Bredde 9.5mm | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 109 nC ved 10 V | ||
Transistormateriale Si | ||
Længde 9.6mm | ||
Højde 3.75mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
N-kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics