onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 2.3 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench Nej NDS9948

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 30,88

(ekskl. moms)

Kr. 38,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Manglende forsyning
  • 15 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 4.140 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 5Kr. 6,176Kr. 30,88
10 - 95Kr. 5,12Kr. 25,60
100 - 495Kr. 3,712Kr. 18,56
500 - 995Kr. 3,112Kr. 15,56
1000 +Kr. 2,656Kr. 13,28

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
761-3397
Producentens varenummer:
NDS9948
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.3A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOIC

Serie

PowerTrench

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

500mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Bredde

4 mm

Højde

1.5mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® Dual P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i den tidligere generation.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links