onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 761-9840
- Producentens varenummer:
- FDN359AN
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 30,59
(ekskl. moms)
Kr. 38,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 60 enhed(er) afsendes fra 05. juni 2026
- Plus 320 enhed(er) afsendes fra 05. juni 2026
- Plus 36.400 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 3,059 | Kr. 30,59 |
| 100 - 240 | Kr. 2,64 | Kr. 26,40 |
| 250 - 490 | Kr. 2,289 | Kr. 22,89 |
| 500 - 990 | Kr. 2,012 | Kr. 20,12 |
| 1000 + | Kr. 1,833 | Kr. 18,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 761-9840
- Producentens varenummer:
- FDN359AN
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 75mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.92mm | |
| Højde | 0.94mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 75mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.92mm | ||
Højde 0.94mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, op til 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 2.7 A 30 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 2.7 A 100 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 2.7 A 20 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Type P MOSFET 6 Ben PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 4.3 A 60 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 2 A 20 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 3 A 20 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 3 A 80 V Forbedring SOT-23, PowerTrench