DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 17 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101 DMP3010LK3-13
- RS-varenummer:
- 770-5178
- Producentens varenummer:
- DMP3010LK3-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 53,71
(ekskl. moms)
Kr. 67,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 90 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.880 enhed(er) afsendes fra 13. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 5,371 | Kr. 53,71 |
| 50 - 120 | Kr. 3,86 | Kr. 38,60 |
| 130 - 620 | Kr. 3,074 | Kr. 30,74 |
| 630 - 1250 | Kr. 2,783 | Kr. 27,83 |
| 1260 + | Kr. 2,498 | Kr. 24,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 770-5178
- Producentens varenummer:
- DMP3010LK3-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMP | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 59.2nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.4W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.7mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMP | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 59.2nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.4W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.7mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 17 A 30 V Forbedring TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, DMP AEC-Q101 DMPH4023SK3-13
- DiodesZetex Type P-Kanal 55 A 40 V Forbedring TO-252, DMP AEC-Q101 DMPH4013SK3-13
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.5 A 40 V Forbedring TO-252, DMP AEC-Q101 DMP4051LK3-13
- DiodesZetex Type P-Kanal 14 A 60 V Forbedring TO-252, DMP AEC-Q101 DMP6180SK3-13
- DiodesZetex Type P-Kanal 55 A 40 V Forbedring TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 14 A 60 V Forbedring TO-252, DMP AEC-Q101