Renesas Electronics N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V, 4 ben, SC-62 RQK0609CQDQS#H3
- RS-varenummer:
- 772-6601P
- Producentens varenummer:
- RQK0609CQDQS#H3
- Brand:
- Renesas Electronics
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 772-6601P
- Producentens varenummer:
- RQK0609CQDQS#H3
- Brand:
- Renesas Electronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 12 A | |
| Drain source spænding maks. | 60 V | |
| Kapslingstype | SC-62 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. | 125 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 1.4V | |
| Effektafsættelse maks. | 1.5 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -12 V, +12 V | |
| Bredde | 2.5mm | |
| Længde | 4.5mm | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 5 nC ved 4,5 V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Højde | 1.5mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 12 A | ||
Drain source spænding maks. 60 V | ||
Kapslingstype SC-62 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. 125 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 1.4V | ||
Effektafsættelse maks. 1.5 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -12 V, +12 V | ||
Bredde 2.5mm | ||
Længde 4.5mm | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 5 nC ved 4,5 V | ||
Transistormateriale Si | ||
Højde 1.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- JP