STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 35 A 710 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M5
- RS-varenummer:
- 783-2949
- Producentens varenummer:
- STB45N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 47,51
(ekskl. moms)
Kr. 59,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 966 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 47,51 |
| 10 - 99 | Kr. 32,69 |
| 100 - 999 | Kr. 32,05 |
| 1000 + | Kr. 31,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 783-2949
- Producentens varenummer:
- STB45N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 710V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 78mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 82nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 210W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 710V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 78mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 82nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 210W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MDmesh™ M5 serien, STMicroelectronics
MDmesh M5 effekt-MOSFET'erne er optimeret til høj-effekt PFC og PWM topologier. Vigtigste funktioner omfatter et lavt ledetilstandstab pr. siliciumområde kombineret med lav gate-opladning. De er designet til energibevidste, kompakte og pålidelige hårde skifteopgaver, som f.eks. solenergi konvertere, strømforsyninger til forbrugerprodukter og elektronisk belysningsstyring.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 35 A 710 V Forbedring TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 710 V Forbedring TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 42 A 710 V Forbedring TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 35 A 710 V Forbedring TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 35 A 710 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 130 A 710 V Forbedring MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 710 V Forbedring PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 22 A 710 V Forbedring PowerFLAT, MDmesh M5