STMicroelectronics Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 11 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh M5 Nej STF15N65M5
- RS-varenummer:
- 783-3071
- Producentens varenummer:
- STF15N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 42,34
(ekskl. moms)
Kr. 52,925
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 925 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 8,468 | Kr. 42,34 |
| 10 + | Kr. 8,242 | Kr. 41,21 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 783-3071
- Producentens varenummer:
- STF15N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.34Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 85W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Portkildespænding maks. | ±25 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 16.4mm | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.34Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 85W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Portkildespænding maks. ±25 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 16.4mm | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MDmesh™ M5 serien, STMicroelectronics
MDmesh M5 effekt-MOSFET'erne er optimeret til høj-effekt PFC og PWM topologier. Vigtigste funktioner omfatter et lavt ledetilstandstab pr. siliciumområde kombineret med lav gate-opladning. De er designet til energibevidste, kompakte og pålidelige hårde skifteopgaver, som f.eks. solenergi konvertere, strømforsyninger til forbrugerprodukter og elektronisk belysningsstyring.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 710 V TO-220FP, MDmesh M5 STF15N65M5
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 710 V TO-220FP, MDmesh M5 STF45N65M5
- STMicroelectronics N-Kanal 18 A 710 V TO-220FP, MDmesh M5 STF20N65M5
- STMicroelectronics N-Kanal 42 A 710 V TO-220FP, MDmesh M5 STF57N65M5
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 710 V TO-220FP, MDmesh M5 STF38N65M5
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 710 V DPAK (TO-252), MDmesh M5 STD15N65M5
- STMicroelectronics N-Kanal 69 A 710 V TO-247, MDmesh M5 STW78N65M5
- STMicroelectronics N-Kanal 84 A 710 V TO-247, MDmesh M5 STW88N65M5
