STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STripFET H7
- RS-varenummer:
- 786-3592
- Producentens varenummer:
- STD100N10F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 67,50
(ekskl. moms)
Kr. 84,40
(inkl. moms)
Tilføj 40 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 2.205 enhed(er) afsendes fra 16. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 13,50 | Kr. 67,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 786-3592
- Producentens varenummer:
- STD100N10F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 61nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 120W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.6mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie STripFET H7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 61nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 120W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.6mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ H7 serien, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET H7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET H7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 25 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET H7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 180 A 80 V Forbedring H2PAK, STripFET H7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 90 A 80 V Forbedring TO-220, STripFET H7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET H7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 100 V Forbedring PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring PowerFLAT, STripFET H7