STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STripFET H7
- RS-varenummer:
- 786-3776
- Producentens varenummer:
- STP110N10F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 109,51
(ekskl. moms)
Kr. 136,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 635 enhed(er) afsendes fra 15. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 21,902 | Kr. 109,51 |
| 50 - 120 | Kr. 19,952 | Kr. 99,76 |
| 125 + | Kr. 16,624 | Kr. 83,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 786-3776
- Producentens varenummer:
- STP110N10F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 72nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Højde | 15.75mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie STripFET H7 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 72nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.6mm | ||
Højde 15.75mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ H7 serien, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET H7
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 100 V Forbedring PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET H7
- STMicroelectronics N-Kanal 90 A 80 V Forbedring TO-220, STripFET H7
- STMicroelectronics N-Kanal 180 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET H7
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 100 V Forbedring PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 100 V Forbedring PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 100 V Forbedring TO-220 STripFET