STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220 Nej
- RS-varenummer:
- 168-8826
- Producentens varenummer:
- STP240N10F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 168-8826
- Producentens varenummer:
- STP240N10F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 160nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 15.75mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 160nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 15.75mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 100 V TO-220 STripFET STP240N10F7
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 40 V TO-220 STripFET STP360N4F6
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 60 V TO-220 STripFET STP260N6F6
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 100 V H2PAK-2 STripFET STH150N10F7-2
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 40 V DPAK (TO-252) STripFET STD80N4F6
- STMicroelectronics N-Kanal 75 A 30 V TO-251 STripFET STU75N3LLH6
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 100 V TO-220, STripFET H7 STP110N10F7
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 60 V SOIC STripFET STS5NF60L
