STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, DeepGate, STripFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 791-9308
- Producentens varenummer:
- STD80N4F6
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 98,74
(ekskl. moms)
Kr. 123,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- Afsendelse fra 29. januar 2027
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 9,874 | Kr. 98,74 |
| 100 - 490 | Kr. 6,665 | Kr. 66,65 |
| 500 - 990 | Kr. 5,354 | Kr. 53,54 |
| 1000 - 2490 | Kr. 5,289 | Kr. 52,89 |
| 2500 + | Kr. 5,226 | Kr. 52,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 791-9308
- Producentens varenummer:
- STD80N4F6
- Brand:
- STMicroelectronics
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 70W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.2mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 70W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.2mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-252 STripFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-252, STripFET F3 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 60 V Forbedring SOIC STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 100 V Forbedring H2PAK STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 100 V Forbedring TO-220 STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-220 STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-252, STripFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET H7
