STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101 STD80N4F6

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
791-9308
Producentens varenummer:
STD80N4F6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

6mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

70W

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.6mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.4mm

Bredde

6.2 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

N-kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links