STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, DeepGate, STripFET

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
920-8751
Producentens varenummer:
STP260N6F6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-220

Serie

DeepGate, STripFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

183nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.4mm

Bredde

4.6mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

15.75mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.