DiodesZetex 2 Type N, Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 7.6 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 790-4568
- Producentens varenummer:
- DMC3028LSDX-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 40,57
(ekskl. moms)
Kr. 50,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 160 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 2.550 enhed(er) afsendes fra 07. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 4,057 | Kr. 40,57 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 790-4568
- Producentens varenummer:
- DMC3028LSDX-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 41mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, J-STD-020 | |
| Bredde | 3.95mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 4.95mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 41mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, J-STD-020 | ||
Bredde 3.95mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 4.95mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN