DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 7.6 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, DMT AEC-Q101 DMTH6016LSD-13
- RS-varenummer:
- 146-4775
- Producentens varenummer:
- DMTH6016LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 43,80
(ekskl. moms)
Kr. 54,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 140 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 4.490 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 4,38 | Kr. 43,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 146-4775
- Producentens varenummer:
- DMTH6016LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | DMT | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 28mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.4W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.4nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 4.95mm | |
| Bredde | 3.95 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie DMT | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 28mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.4W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.4nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 4.95mm | ||
Bredde 3.95 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 7 8 ben DMT AEC-Q101 DMTH6016LSD-13
- DiodesZetex P-Kanal 5 8 ben DMP AEC-Q101 DMPH6050SSD-13
- DiodesZetex N-Kanal 7 8 ben, SOIC DMN2041LSD-13
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 7 7 8 ben, SOIC DMC3028LSDX-13
- DiodesZetex P-Kanal 26 A 60 V DI5060, DMP AEC-Q101 DMPH6050SPD-13
- DiodesZetex N-Kanal 8 A 60 V SOT-223 AEC-Q101 DMN6069SE-13
- DiodesZetex N-Kanal 33 8 ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101 DMTH6016LPD-13
- DiodesZetex N-Kanal 7 3 ben, SOT-223 AEC-Q101 DMN6040SE-13
