DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 7.6 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, DMT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 146-4666
- Producentens varenummer:
- DMTH6016LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 8.302,50
(ekskl. moms)
Kr. 10.377,50
(inkl. moms)
Tilføj 2500 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 2.500 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 3,321 | Kr. 8.302,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 146-4666
- Producentens varenummer:
- DMTH6016LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | DMT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 28mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.4W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Højde | 1.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.95 mm | |
| Længde | 4.95mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie DMT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 28mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.4W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Højde 1.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.95 mm | ||
Længde 4.95mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 7.6 A 60 V Forbedring SOIC, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 26.5 A 40 V Forbedring PowerDI3333-8, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 7.7 A 30 V Forbedring UDFN-2020, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 82 A 40 V Forbedring PowerDI5060, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 7.6 A 20 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 21.2 A 40 V Forbedring PowerDI3333-8 AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 10.6 A 30 V Forbedring VDFN-3030 AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal 46.3 A 100 V Forbedring TO-252, DMT AEC-Q101