DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 21.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMT AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- RS-varenummer:
- 222-2875
- Producentens varenummer:
- DMT4015LDV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 114,50
(ekskl. moms)
Kr. 143,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.800 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 4,58 | Kr. 114,50 |
| 50 - 75 | Kr. 4,488 | Kr. 112,20 |
| 100 - 225 | Kr. 3,168 | Kr. 79,20 |
| 250 - 975 | Kr. 3,103 | Kr. 77,58 |
| 1000 + | Kr. 2,25 | Kr. 56,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2875
- Producentens varenummer:
- DMT4015LDV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | DMT | |
| Emballagetype | PowerDI3333-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.02Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.6nC | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie DMT | ||
Emballagetype PowerDI3333-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.02Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.6nC | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav indgangs-/udgangslækage
ESD-beskyttet låge
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 21.2 A 40 V Forbedring PowerDI3333-8 AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex Type N-Kanal 31.8 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 7.6 A 60 V Forbedring SOIC, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 30.2 A 40 V Forbedring PowerDI3333, DMT47 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 8 A 40 V Forbedring PowerDI3333, DMPH4029 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI3333-8 AEC-Q101