DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 21.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMT AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 114,50

(ekskl. moms)

Kr. 143,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 25Kr. 4,58Kr. 114,50
50 - 75Kr. 4,488Kr. 112,20
100 - 225Kr. 3,168Kr. 79,20
250 - 975Kr. 3,103Kr. 77,58
1000 +Kr. 2,25Kr. 56,25

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-2875
Producentens varenummer:
DMT4015LDV-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21.2A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

PowerDI3333-8

Serie

DMT

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.02Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

16 V

Gennemgangsspænding Vf

0.7V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.6nC

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.

Lav aktiv modstand

Lav indgangskapacitet

Hurtig koblingshastighed

Lav indgangs-/udgangslækage

ESD-beskyttet låge

Relaterede links

Recently viewed