DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 5.2 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, DMP AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 146-4665
- Producentens varenummer:
- DMPH6050SSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 7.920,00
(ekskl. moms)
Kr. 9.900,00
(inkl. moms)
Tilføj 2500 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 3,168 | Kr. 7.920,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 146-4665
- Producentens varenummer:
- DMPH6050SSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | DMP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.7V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 4.95mm | |
| Bredde | 3.95 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie DMP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.7V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 4.95mm | ||
Bredde 3.95 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 5.2 A 60 V Forbedring SOIC, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 26 A 60 V Forbedring DI5060, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 5.2 A 12 V Forbedring SOT-23, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 4.5 A 60 V Forbedring SOIC, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 7.4 A 20 V Forbedring TSSOP, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 14 A 60 V Forbedring TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 18.2 A 60 V Forbedring SOT-223, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 17 A 30 V Forbedring TO-252, DMP AEC-Q101